MCP

東芯半導體股份有限公司成立于2014年，總部位于上海，在深圳、南京、、中國香港、韓國均設有分公司或子公司，矢志成為前列的存儲芯片設計公司，服務全球客戶。作為Fabless芯片企業，東芯半導體擁有自主的知識產權，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的設計、生產和銷售，是目前國內少數可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產品方案的存儲芯片研發設計公司。

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東芯MCP系列產品具有NAND Flash和DDR多種容量組合，Flash和DDR均為低電壓的設計，Core voltage 1.8V可滿足目前移動互聯網和物聯網對低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2兩種規格使其選擇更加靈活豐富。MCP可將Flash和DDR合二為一進行封裝，簡化走線設計，節省組裝空間，高效集成電路，提高產品穩定性。

規格：	Specification:
電壓/Voltage	1.8V
溫度/Temperature	-40℃ — 85℃
容量/Density	1Gb/2Gb/4Gb Flash
	512Mb/1Gb/2Gb/4Gb LPDDR
封裝/Package	FBGA 130，FBGA 162
速度/Speed	Flash 30ns，45ns LPDDR1 200MHz
	LPDDR2 400MHz，533MHz
線寬/Width	Flash 8/16 LPDDR1 *16
	LPDDR2 16/32

Type	Part Number	NAND	DRAM			Temp.Range				PKG Type	Datasheet
Type	Part Number	NAND	Density	Org	Voltage	Density	Org	Type	Speed	PKG Type	Datasheet
MCP	FMN1SD5SBB-50IA	1Gb	x16	1.8V	512Mb	x16	LPDDR1	200MHz	-40℃~85℃	FBGA 130(8x9x1.0mm)	Download
	FMN1ET1TCB-25IH	1Gb	x8	1.8V	1Gb	x32	LPDDR2	400MHz		FBGA 162(8x10.5x1.0mm)	Download
	FMN2ET1TCD-25IH	2Gb	x8	1.8V	1Gb	x32	LPDDR2	400MHz		FBGA 162(8x10.5x1.0mm)	Download
	FMN2ET2SCD-25IH	2Gb	x8	1.8V	2Gb	X16	LPDDR2	400MHz		FBGA 162(8x10.5x1.0mm)	Download
	FMN2ET2TCD-25IH	2Gb	x8	1.8V	2Gb	X32	LPDDR2	400MHz		FBGA 162(8x10.5x1.0mm)	Download
	FMN4ET2TCB-25IH	4Gb	x8	1.8V	2Gb	x32	LPDDR2	400MHz		FBGA 162(8x10.5x1.0mm)	Download
	FMN4ET4DCF-25IH	4Gb	x8	1.8V	4Gb	x32	LPDDR2	400MHz		FBGA 162(8x10.5x1.1mm)	Download